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AT29C51270JU 概述如下:
该AT29C512是一个5伏只有在系统的Flash可编程可擦除只读存储器( PEROM ) 。它的内存512K是由8位,
65,536字。 MAN-制造出来与Atmel先进的非易失性CMOS工艺,设备报价存取时间为70 ns的只有275毫瓦
的功耗在商业温温度范围内。当设备被选中,则CMOS待机电流小于超过100 μA 。该器件的耐用性是这样
的,任何部门通常可以被写入超过10,000次。以允许简单的系统重新编程,该AT29C512不需要高输入电压
进行编程。五伏特只命令确定的动作该设备。读数据从装置中类似于从一个EPROM读取。重新编程AT29C512
的是,扇区的基础上执行; 128个字节的数据是装载到该设备,然后同时被编程。期间重新编程周期中,
地址位置和128个字节的数据是内部锁,从而释放地址和数据总线,用于其它操作。继启动一个程序循环,
设备会自动擦除扇区,然后程序使用一个内部的定时器控制的锁存数据。一个程序周期结束可以通过I / O7
数据轮询检测。一旦一个程序周期结束时一直检测到的,用于读出或编程一个新的访问可以开始。
AT29C51270JU 概述如下:
该AT29C512是一个5伏只有在系统的Flash可编程可擦除只读存储器( PEROM ) 。它的内存512K是由8位,
65,536字。 MAN-制造出来与Atmel先进的非易失性CMOS工艺,设备报价存取时间为70 ns的只有275毫瓦
的功耗在商业温温度范围内。当设备被选中,则CMOS待机电流小于超过100 μA 。该器件的耐用性是这样
的,任何部门通常可以被写入超过10,000次。以允许简单的系统重新编程,该AT29C512不需要高输入电压
进行编程。五伏特只命令确定的动作该设备。读数据从装置中类似于从一个EPROM读取。重新编程AT29C512
的是,扇区的基础上执行; 128个字节的数据是装载到该设备,然后同时被编程。期间重新编程周期中,
地址位置和128个字节的数据是内部锁,从而释放地址和数据总线,用于其它操作。继启动一个程序循环,
设备会自动擦除扇区,然后程序使用一个内部的定时器控制的锁存数据。一个程序周期结束可以通过I / O7
数据轮询检测。一旦一个程序周期结束时一直检测到的,用于读出或编程一个新的访问可以开始。
AT29C51270JU 产品参数图如下:
AT29C51270JU 产品图如下: