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TL032CDR 概述如下:
该TL03x系列JFET输入运算放大器可提供超过TL06x改进的DC和AC特点系列低功耗的BiFET运
算放大器。片上的偏移电压的齐纳修整得到精度等级低至1.5毫伏( TL031A )的直流
耦合应用更高的精度。德州仪器(TI)改进的BiFET工艺和优化的设计也得到改善带宽和压
摆率不增加的功率消耗。该TL03x器件的引脚兼容TL06x ,可用于升级现有的电路或用于新
设计的最佳性能。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管没有固有的高输入阻抗牺牲与双极放大器相关
的输出驱动器。这种较高的输入阻抗,使TL3x放大器更适合于具有高阻抗传感器或非常
低级别的交流信号的接口。这些设备还配备了比有可比性功率双极或CMOS器件固有更好
的交流响应消费。
该TL03x系列进行了优化微操作,同时提高了对的性能TL06x系列。需要显著更快响应的交
流应该考虑神剑? TLE206x设计师系列低功耗的BiFET运算放大器。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以从单电源供电时观察的共模
输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置输入信号是必需的,并且负载应终止于一个虚拟接地
节点在中间电源。德州仪器TLE2426一体化经营,从单电源放大器的BiFET时,虚拟接地
( TLC前缀)的TI路LinCMOS家庭推荐。当移动BIFET到CMOS放大器,应特别注意支付给压
摆率,带宽需求和输出装载。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点从-40 ° C到85°C操作。
后缀为M的器件的特点是工作在整个军用温度范围为-55 ° C至125°C 。
TL032CDR 概述如下:
该TL03x系列JFET输入运算放大器可提供超过TL06x改进的DC和AC特点系列低功耗的BiFET运
算放大器。片上的偏移电压的齐纳修整得到精度等级低至1.5毫伏( TL031A )的直流
耦合应用更高的精度。德州仪器(TI)改进的BiFET工艺和优化的设计也得到改善带宽和压
摆率不增加的功率消耗。该TL03x器件的引脚兼容TL06x ,可用于升级现有的电路或用于新
设计的最佳性能。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管没有固有的高输入阻抗牺牲与双极放大器相关
的输出驱动器。这种较高的输入阻抗,使TL3x放大器更适合于具有高阻抗传感器或非常
低级别的交流信号的接口。这些设备还配备了比有可比性功率双极或CMOS器件固有更好
的交流响应消费。
该TL03x系列进行了优化微操作,同时提高了对的性能TL06x系列。需要显著更快响应的交
流应该考虑神剑? TLE206x设计师系列低功耗的BiFET运算放大器。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以从单电源供电时观察的共模
输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置输入信号是必需的,并且负载应终止于一个虚拟接地
节点在中间电源。德州仪器TLE2426一体化经营,从单电源放大器的BiFET时,虚拟接地
发生器是很有用的。
该TL03x设备在完全指定±15V和±5五,适用于低电压和/或单电源供电系统,运算放大器
( TLC前缀)的TI路LinCMOS家庭推荐。当移动BIFET到CMOS放大器,应特别注意支付给压
摆率,带宽需求和输出装载。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点从-40 ° C到85°C操作。
后缀为M的器件的特点是工作在整个军用温度范围为-55 ° C至125°C 。
TL032CDR 产品参数图如下:
TL032CDR 产品图如下: