技术: Si 
封装 / 箱体: TO-220FP-3 
安装风格: Through Hole 
配置: Single 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 
集电极—射极饱和电压: 1.8 V 
栅极/发射极最大电压: 20 V 
在25 C的连续集电极电流: 19 A 
Pd-功率耗散: 52 W 
最小工作温度: - 55 C 
封装: Tube 
高度: 9.02 mm  
长度: 10.67 mm  
宽度: 4.83 mm  
商标: Infineon / IR  
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 2000  
子类别: IGBTs  
零件号别名: SP001537730