IKD06N60RFATMA1IGBT 晶体管实力现货
深圳市科辉特电子有限公司
发表:2023-09-05 21:11:56 阅读:124
技术: Si 
封装 / 箱体: TO-252-3 
安装风格: SMD/SMT 
配置: Single 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 
集电极—射极饱和电压: 2.2 V 
栅极/发射极最大电压: 20 V 
在25 C的连续集电极电流: 12 A 
Pd-功率耗散: 100 W 
最小工作温度: - 40 C 
最大工作温度: + 175 C 
系列: RC 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
商标: Infineon Technologies  
栅极—射极漏泄电流: 100 nA  
产品类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 2500  
子类别: IGBTs  
商标名: TRENCHSTOP  
零件号别名: IKD06N60RF SP000939364 IKD6N6RFXT
核心供货商
营业执照: 已审核
组织机构代码: 已审核
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