技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: P-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 55 V 
Id-连续漏极电流: 11 A 
Rds On-漏源导通电阻: 175 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Qg-栅极电荷: 12.7 nC 
Pd-功率耗散: 38 W 
配置: Single 
商标名: StrongIRFET 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
高度: 2.3 mm  
长度: 6.5 mm  
晶体管类型: 1 P-Channel  
宽度: 6.22 mm  
商标: Infineon Technologies  
产品类型: MOSFET  
工厂包装数量: 2000  
子类别: MOSFETs  
零件号别名: SP001557190