技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
DirectFET-L8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
40 V
Id-连续漏极电流:
564 A
Rds On-漏源导通电阻:
970 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V
Qg-栅极电荷:
220 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
341 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
StrongIRFET
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
0.74 mm
长度:
9.15 mm
宽度:
7.1 mm
商标:
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值:
232 S
下降时间:
137 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
176 ns
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
174 ns
典型接通延迟时间:
68 ns
零件号别名:
IRL7472L1TRPBF SP001558732
单位重量:
176.520 mg
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
DirectFET-L8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
40 V
Id-连续漏极电流:
564 A
Rds On-漏源导通电阻:
970 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V
Qg-栅极电荷:
220 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
341 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
StrongIRFET
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
0.74 mm
长度:
9.15 mm
宽度:
7.1 mm
商标:
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值:
232 S
下降时间:
137 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
176 ns
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
174 ns
典型接通延迟时间:
68 ns
零件号别名:
IRL7472L1TRPBF SP001558732
单位重量:
176.520 mg





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