技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SO-8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
21 A
Rds On-漏源导通电阻:
5.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
20 nC
Pd-功率耗散:
2.5 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.75 mm
长度:
4.9 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
3.9 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRF8734TRPBF SP001555800
单位重量:
540 mg
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SO-8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
21 A
Rds On-漏源导通电阻:
5.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
20 nC
Pd-功率耗散:
2.5 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.75 mm
长度:
4.9 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
3.9 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRF8734TRPBF SP001555800
单位重量:
540 mg