技术: 
Si 
 
安装风格: 
SMD/SMT 
 
封装 / 箱体: 
Micro-8 
 
晶体管极性: 
N-Channel, P-Channel 
 
通道数量: 
2 Channel 
 
Vds-漏源极击穿电压: 
30 V 
 
Id-连续漏极电流: 
2.7 A 
 
Rds On-漏源导通电阻: 
200 mOhms 
 
Vgs - 栅极-源极电压: 
20 V 
 
Qg-栅极电荷: 
7.8 nC, 7.5 nC 
 
最小工作温度: 
- 55 C 
 
最大工作温度: 
+ 150 C 
 
Pd-功率耗散: 
1.25 W 
 
通道模式: 
Enhancement 
 
封装: 
Cut Tape 
 
封装: 
MouseReel 
 
封装: 
Reel 
 
配置: 
Dual 
  
高度: 
1.11 mm 
  
长度: 
3 mm 
  
晶体管类型: 
1 N-Channel, 1 P-Channel 
  
宽度: 
3 mm 
  
商标: 
Infineon / IR 
  
正向跨导 - 最小值: 
1.9 S, 0.92 S 
  
下降时间: 
5.3 ns, 9.3 ns 
  
产品类型: 
MOSFET 
  
上升时间: 
10 ns, 12 ns 
  
工厂包装数量: 
4000 
  
子类别: 
MOSFETs 
  
典型关闭延迟时间: 
12 ns, 19 ns 
  
典型接通延迟时间: 
4.7 ns, 9.7 ns 
  
零件号别名: 
IRF7509TRPBF SP001570444 
  
单位重量: 
25.540 mg