技术: 
Si 
 
安装风格: 
Through Hole 
 
封装 / 箱体: 
TO-220-3 
 
晶体管极性: 
N-Channel 
 
通道数量: 
1 Channel 
 
Vds-漏源极击穿电压: 
200 V 
 
Id-连续漏极电流: 
44 A 
 
Rds On-漏源导通电阻: 
54 mOhms 
 
Vgs - 栅极-源极电压: 
30 V 
 
Qg-栅极电荷: 
60 nC 
 
最小工作温度: 
- 55 C 
 
最大工作温度: 
+ 175 C 
 
Pd-功率耗散: 
320 W 
 
通道模式: 
Enhancement 
 
封装: 
Tube 
 
配置: 
Single 
  
高度: 
15.65 mm 
  
长度: 
10 mm 
  
晶体管类型: 
1 N-Channel 
  
宽度: 
4.4 mm 
  
商标: 
Infineon Technologies 
  
正向跨导 - 最小值: 
17 S 
  
下降时间: 
47 ns 
  
产品类型: 
MOSFET 
  
上升时间: 
95 ns 
  
工厂包装数量: 
1000 
  
子类别: 
MOSFETs 
  
典型关闭延迟时间: 
29 ns 
  
典型接通延迟时间: 
16 ns 
  
零件号别名: 
IRFB38N20DPBF SP001556010 
  
单位重量: 
6 g