技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263-7
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
40 V
Id-连续漏极电流:
240 A
Rds On-漏源导通电阻:
1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
3 V
Qg-栅极电荷:
210 nC
Pd-功率耗散:
245 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
StrongIRFET
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
4.4 mm
长度:
10 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
9.25 mm
商标:
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:
156 S
下降时间:
85 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
125 ns
工厂包装数量:
800
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
107 ns
典型接通延迟时间:
23 ns
零件号别名:
IRFS7434TRL7PP SP001557462
单位重量:
1.600 g
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263-7
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
40 V
Id-连续漏极电流:
240 A
Rds On-漏源导通电阻:
1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
3 V
Qg-栅极电荷:
210 nC
Pd-功率耗散:
245 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
StrongIRFET
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
4.4 mm
长度:
10 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
9.25 mm
商标:
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:
156 S
下降时间:
85 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
125 ns
工厂包装数量:
800
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
107 ns
典型接通延迟时间:
23 ns
零件号别名:
IRFS7434TRL7PP SP001557462
单位重量:
1.600 g