技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
55 V
Id-连续漏极电流:
74 A
Rds On-漏源导通电阻:
20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
120 nC
Pd-功率耗散:
200 W
封装:
Tube
配置:
Single
高度:
15.65 mm
长度:
10 mm
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
4.4 mm
商标:
Infineon Technologies
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRF4905PBF SP001571330
单位重量:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
55 V
Id-连续漏极电流:
74 A
Rds On-漏源导通电阻:
20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
120 nC
Pd-功率耗散:
200 W
封装:
Tube
配置:
Single
高度:
15.65 mm
长度:
10 mm
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
4.4 mm
商标:
Infineon Technologies
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRF4905PBF SP001571330
单位重量: