技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
100 V
Id-连续漏极电流:
3.1 A
Rds On-漏源导通电阻:
205 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
66 W
通道模式:
Enhancement
资格:
AEC-Q101
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
2.3 mm
长度:
6.5 mm
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
6.22 mm
商标:
Infineon / IR
下降时间:
46 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
58 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
45 ns
典型接通延迟时间:
15 ns
零件号别名:
AUIRFR5410TRL SP001521222
单位重量:
4 g
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
100 V
Id-连续漏极电流:
3.1 A
Rds On-漏源导通电阻:
205 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
66 W
通道模式:
Enhancement
资格:
AEC-Q101
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
2.3 mm
长度:
6.5 mm
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
6.22 mm
商标:
Infineon / IR
下降时间:
46 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
58 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
45 ns
典型接通延迟时间:
15 ns
零件号别名:
AUIRFR5410TRL SP001521222
单位重量:
4 g