技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SO-8
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
20 A
Rds On-漏源导通电阻:
6.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
58 nC
Pd-功率耗散:
2.5 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.75 mm
长度:
4.9 mm
宽度:
3.9 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRF9310TRPBF SP001572210
单位重量:
2 g
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SO-8
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
20 A
Rds On-漏源导通电阻:
6.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
58 nC
Pd-功率耗散:
2.5 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.75 mm
长度:
4.9 mm
宽度:
3.9 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRF9310TRPBF SP001572210
单位重量:
2 g