技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
PG-SOT-23-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
21 mA
Rds On-漏源导通电阻:
700 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.7 V
Qg-栅极电荷:
1.4 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW (1/2 W)
通道模式:
Depletion
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.1 mm
长度:
2.9 mm
系列:
BSS126
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
1.3 mm
商标:
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:
8 mS
下降时间:
115 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
9.7 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
14 ns
典型接通延迟时间:
6.1 ns
零件号别名:
BSS126 H6327 SP000919334
单位重量:
34 mg
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
PG-SOT-23-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
21 mA
Rds On-漏源导通电阻:
700 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.7 V
Qg-栅极电荷:
1.4 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW (1/2 W)
通道模式:
Depletion
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.1 mm
长度:
2.9 mm
系列:
BSS126
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
1.3 mm
商标:
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:
8 mS
下降时间:
115 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
9.7 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
14 ns
典型接通延迟时间:
6.1 ns
零件号别名:
BSS126 H6327 SP000919334
单位重量:
34 mg