技术: 
Si 
 
安装风格: 
Through Hole 
 
封装 / 箱体: 
TO-220-3 
 
晶体管极性: 
N-Channel 
 
通道数量: 
1 Channel 
 
Vds-漏源极击穿电压: 
200 V 
 
Id-连续漏极电流: 
31 A 
 
Rds On-漏源导通电阻: 
82 mOhms 
 
Vgs - 栅极-源极电压: 
30 V 
 
Vgs th-栅源极阈值电压: 
5.5 V 
 
Qg-栅极电荷: 
70 nC 
 
最小工作温度: 
- 55 C 
 
最大工作温度: 
+ 175 C 
 
Pd-功率耗散: 
200 W 
 
通道模式: 
Enhancement 
 
封装: 
Tube 
 
配置: 
Single 


高度: 
15.65 mm 


长度: 
10 mm 


晶体管类型: 
1 N-Channel 


宽度: 
4.4 mm 


商标: 
Infineon / IR 


正向跨导 - 最小值: 
17 S