技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
100 V
Id-连续漏极电流:
180 A
Rds On-漏源导通电阻:
3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
4 V
Qg-栅极电荷:
143 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
375 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
2.3 mm
长度:
6.5 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
6.22 mm
商标:
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值:
189 S
下降时间:
77 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
86 ns
工厂包装数量:
800
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
100 ns
典型接通延迟时间:
21 ns
零件号别名:
IRFS4010TRLPBF SP001550124
单位重量:
4 g
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
100 V
Id-连续漏极电流:
180 A
Rds On-漏源导通电阻:
3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
4 V
Qg-栅极电荷:
143 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
375 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
2.3 mm
长度:
6.5 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
6.22 mm
商标:
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值:
189 S
下降时间:
77 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
86 ns
工厂包装数量:
800
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
100 ns
典型接通延迟时间:
21 ns
零件号别名:
IRFS4010TRLPBF SP001550124
单位重量:
4 g