技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-251-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
55 V
Id-连续漏极电流:
- 11 A
Rds On-漏源导通电阻:
175 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
19 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
38 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Tube
配置:
Single
高度:
6.22 mm
长度:
6.73 mm
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
2.38 mm
商标:
Infineon Technologies
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRFU9024NPBF SP001557756
单位重量:
4 g
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-251-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
55 V
Id-连续漏极电流:
- 11 A
Rds On-漏源导通电阻:
175 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
19 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
38 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Tube
配置:
Single
高度:
6.22 mm
长度:
6.73 mm
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
2.38 mm
商标:
Infineon Technologies
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRFU9024NPBF SP001557756
单位重量:
4 g