技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
40 V
Id-连续漏极电流:
190 A
Rds On-漏源导通电阻:
2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
100 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
220 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
4.4 mm
长度:
10 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
9.25 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
800
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRF1404ZSTRLPBF SP001564720
单位重量:
4 g
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
40 V
Id-连续漏极电流:
190 A
Rds On-漏源导通电阻:
2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
100 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
220 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
4.4 mm
长度:
10 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
9.25 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
800
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRF1404ZSTRLPBF SP001564720
单位重量:
4 g