技术: 
Si 
 
安装风格: 
Through Hole 
 
封装 / 箱体: 
TO-220-3 
 
晶体管极性: 
N-Channel 
 
通道数量: 
1 Channel 
 
Vds-漏源极击穿电压: 
600 V 
 
Id-连续漏极电流: 
7.3 A 
 
Rds On-漏源导通电阻: 
540 mOhms 
 
Vgs - 栅极-源极电压: 
20 V 
 
Vgs th-栅源极阈值电压: 
3.5 V 
 
Qg-栅极电荷: 
12 nC 
 
最小工作温度: 
- 55 C 
 
最大工作温度: 
+ 150 C 
 
Pd-功率耗散: 
28 W 
 
通道模式: 
Enhancement 
 
商标名: 
CoolMOS 
 
封装: 
Tube 
 
配置: 
Single 


高度: 
16.15 mm 


长度: 
10.65 mm 


系列: 
CoolMOS P6 


晶体管类型: 
1 N-Channel 


宽度: 
4.85 mm 


商标: 
Infineon Technologies 


下降时间: 
14 ns 


产品类型: 
MOSFET 


上升时间: 
7 ns 


工厂包装数量: 
500 


子类别: 
MOSFETs 


典型关闭延迟时间: 
33 ns 


典型接通延迟时间: 
11 ns 


零件号别名: 
IPA60R600P6XKSA1 SP001017070 IPA60R600P6XKSA1 


单位重量: 
6 g