半导体激光放大器(Semiconductor Optical Amplifier，简写为SOA)的放大原理与半导体激光器的工作原理相同，也是利用能级间跃迁的受激现象进行光放大。为了提高增益，人们去掉了构成激光振荡的谐振腔，由电流直接激励，可获得30dB(1000倍)以上的光增益。半导体激光放大器尺寸小，频带很宽，增益也很高，但最大的弱点是与光纤的耦合损耗太大，易受环境温度影响，因此，稳定性较差。半导体光放大器容易集成，适于与光集成和光电集成电路结合使用。

　　半导体激光放大器有三种。一种是将通常的半导体激光器当作光放大器使用，称作法布里-泊罗(F-P)半导体激光放大器(FPA);另一种是在F-P激光器的两个端面上涂有抗反射膜，以获得宽频带、高输出、低噪声。这种放大器是在光的行进过程中对光进行放大的，故称行波式光放大器(TWLA)还有一种注入锁定放大器(IL-SOA)，在结构上与F一P一SLA完全相同，但它被偏置在阂值电流以上，如果将弱的单模光注入此放大器，则将得到高功率单模输出。