新型低功耗两级运算放大器设计方案

　　随着IC设计集成度和复杂度日益增加，如何进行低功耗设计已成为了一个必须解决的问题。目前实现低压模拟电路的方法主要有三种:亚阈值，衬底驱动和浮栅设计。采用亚阈值特性实现的低功耗电路主要是利用了MOS 晶体管在进入亚阈值区域时漏极电流不是马上消失，而是与栅控电压呈一个指数关系，每当电压下降80mV时，电流下降一个数量级，从而使功耗变小。但由于亚阈值电路的电流驱动能力较小，只适合部分电路设计。实现低功耗，主要是降低电源电压，但是受亚阈值导通的特性影响，标准CMOS 工艺中的阈值电压不会比深亚微米工艺的阈值电压有较大的下降，因此电路工作电压的降低将受到阈值电压的限制。

　　看出当VDS为常数时，ID主要受VBS得控制，于是在衬底端加信号能有效地避开阈值电压的限制，可以用非常小的信号加在衬底端和源端就可以用来调制漏电流，所以这种技术也可以用来实现低功耗。是对于N(P)阱工艺，只能实现衬底驱动P(N)MOS管，严重限制了它的应用。