低频功率放大器的研究目的

　　功率放大器是发射机的重要部件之一,在S波段GaN HEMT平衡功率放大器设计中常出现低频段振荡,为了消除这种类型的振荡,文中提出了在合成管GaN HEMT的栅极和地之间放置改进型的LCR复合有耗吸收网络的方法.由于吸收网络的电阻在低频段有效并入电路,在工作频段内被短路,因此,降低了带外低频端的高增益.从而消除了功率放大器电路中由于低频端增益过高产生的振荡,而对工作频带内的增益和驻波性能没有明显影响。

　　放大器的工作点Q设定在负载线的中点附近，晶体管在输入信号的整个周期内均导通。放大器可单管工作，也可以推挽工作。由于放大器工作在特性曲线的线性范围内，所以瞬态失真和交替失真较小。电路简单，调试方便。但效率较低，晶体管功耗大，效率的理论最大值仅有25%，且有较大的非线性失真。由于效率比较低。