虽然具体的技术研发规划可能会因市场情况、技术进展等因素而有所调整，但长江存储一直致力于在存储芯片技术领域不断创新和突破。

过去的一些信息显示，长江存储在技术研发方面有以下计划和方向：

持续推进3D NAND闪存技术的发展：从64层、128层向更高层数迈进，以提高存储密度和性能。例如，其曾计划试产192层 NAND快闪记忆体晶片。

对 Xtacking 架构进行升级：如推出 Xtacking 2.0技术，进一步提升3D NAND闪存的性能。该技术可提高I/O接口速度，保证更高的存储容量，并减少产品的开发和上市周期。

与中国供应商合作，推进设备国产化：在被美国列入“实体清单”后面临设备供应的挑战，长江存储计划只使用中国设备生产先进闪存芯片，并向国内设备供应商下单，同时要求去除设备上的商标等识别标志以降低制裁风险。不过，中国的芯片制造供应链仍存在一些“锁喉点”，其解决这些问题的具体方式尚不清楚。

另外，长江存储也可能会注重以下方面的技术研发：

提高闪存芯片的质量和稳定性，以满足各种应用场景的严格要求。

针对不同的市场需求，开发定制化的存储解决方案。

研发新的闪存技术或改进现有技术，以应对数据吞吐量不断增长的需求。

需注意的是，半导体行业技术发展迅速，且受到多种因素影响。要获取关于长江存储最新和最准确的技术研发规划，建议关注该公司的官方发布、新闻报道以及相关行业动态。