华邦电子未来三年在半导体存储领域有以下发展规划：

制程技术方面

• DRAM：持续推动 DRAM 技术向更先进制程发展，计划将工艺从 20 纳米推进至 16 纳米，以提升产品性能和竞争力。
• NAND Flash 和 NOR Flash：NAND Flash 向 24 纳米工艺演进，NOR Flash 向 45 纳米工艺演进，目前整体进度顺利。

产品线方面

• DRAM：进一步丰富产品线，计划在 2025 年中推出 8Gbit DDR4 产品；20nm 8Gbit LPDDR4 产品已在 2024 年第四季成功实现客户送样，有望在 2025 年实现批量交付。
• HYPERRAM™：在 2025 年会使用更先进的制程工艺，确保其容量、速度和功耗等指标实现相应提升，为日益智能化的物联网、智能家居、穿戴设备、汽车和工业应用提供更优解决方案。

产品性能方面

• 满足 AI 设备需求：提升产品性能，推出更高性能的 LPDDR 系列产品，以适配 AI 手机不断增长的算力需求，满足 AI 设备对内存带宽和容量的需求。
• 优化 CUBE 解决方案：其创新产品 CUBE 可大幅优化内存技术，华邦未来可能会和客户共同探讨 64GB/s 带宽的合作可能性，进一步缩小 I/O 数量和裸片尺寸，为边缘 AI 运算装置提供更好的支持。

市场应用方面

• 端侧 AI 市场：看好端侧 AI 市场的发展，2025 年端侧 AI 产品将进入爆发期，如 AI 眼镜、接入 AI 大模型的可穿戴式产品、机器人产品等新兴市场，会带动更多中小容量存储的需求，华邦将针对性地开发相关产品。
• 汽车半导体市场：伴随汽车智能化发展，华邦积极与各车厂直接配合，及时了解需求并快速响应，提供满足汽车行业需求的存储产品，如车用大容量 NOR Flash 以及应用于前视一体机的 LPDDR4 产品等。

产能方面

• 高雄工厂引进新的生产设备，月产能从 10000 单元提高到 14000 单元，未来还可能进一步提升至 20000 片 / 月，以满足市场需求。