卓胜微在射频开关领域有以下技术创新：

• 设计结构创新：公司取得了 “一种射频开关芯片” 的专利。该射频开关芯片通过巧妙地利用键合线和基板上第一滤波元件之间的互感，使各滤波元件更容易集成，设计结构紧凑，体积小，提高了移植性能，降低了成本，更适应于空间紧凑的移动终端设备等应用场景。
• 材料与工艺创新：采用 RF SOI（绝缘体上硅）材料及相应工艺。这种材料具有独特的硅 / 绝缘层 / 硅三层结构，能够减小寄生电容，提高运行速度，降低功耗，消除闩锁效应，抑制衬底的脉冲电流干扰，并且与现有 CMOS 硅工艺兼容，可减少工序，提升产品性能和生产效率。
• 封装技术创新：卓胜微在射频芯片封装方面进行了创新投入，比如对 3D 堆叠封装技术进行研发，产品已经进入验证阶段。通过 3D 堆叠封装形式可以实现更好的性能和面积优势，有助于提升射频开关在模组中的集成度和整体性能。