术:
Si
封装 / 箱体:
TO-263-3
安装风格:
SMD/SMT
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
2.1 V
栅极/发射极最大电压:
20 V
在25 C的连续集电极电流:
11 A
Pd-功率耗散:
63 W
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
系列:
RC
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
4.57 mm
长度:
10.31 mm
宽度:
9.45 mm
商标:
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流:
100 nA
产品类型:
IGBT Transistors
工厂包装数量:
800
子类别:
IGBTs
商标名:
TRENCHSTOP
零件号别名:
IRGS4B60KD1TRRP SP001534000
单位重量:
260.400 mg
Si
封装 / 箱体:
TO-263-3
安装风格:
SMD/SMT
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
2.1 V
栅极/发射极最大电压:
20 V
在25 C的连续集电极电流:
11 A
Pd-功率耗散:
63 W
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
系列:
RC
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
4.57 mm
长度:
10.31 mm
宽度:
9.45 mm
商标:
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流:
100 nA
产品类型:
IGBT Transistors
工厂包装数量:
800
子类别:
IGBTs
商标名:
TRENCHSTOP
零件号别名:
IRGS4B60KD1TRRP SP001534000
单位重量:
260.400 mg





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