技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
P-SOT-89-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
240 V
Id-连续漏极电流:
260 mA
Rds On-漏源导通电阻:
6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
800 mV
Qg-栅极电荷:
3.7 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.5 mm
长度:
4.5 mm
系列:
BSS87
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
2.5 mm
商标:
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:
160 mS
下降时间:
27.3 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
3.5 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
17.6 ns
典型接通延迟时间:
3.7 ns
零件号别名:
BSS87 H6327 SP001047646
单位重量:
130.500 mg
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
P-SOT-89-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
240 V
Id-连续漏极电流:
260 mA
Rds On-漏源导通电阻:
6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
800 mV
Qg-栅极电荷:
3.7 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.5 mm
长度:
4.5 mm
系列:
BSS87
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
2.5 mm
商标:
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:
160 mS
下降时间:
27.3 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
3.5 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
17.6 ns
典型接通延迟时间:
3.7 ns
零件号别名:
BSS87 H6327 SP001047646
单位重量:
130.500 mg





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