技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220FP-5
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
200 V
Id-连续漏极电流:
9.1 A
Rds On-漏源导通电阻:
80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
19 nC
最小工作温度:
- 55 C
Pd-功率耗散:
21 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Tube
配置:
Dual
高度:
16.15 mm
长度:
10.65 mm
晶体管类型:
2 N-Channel
宽度:
4.85 mm
商标:
Infineon / IR
下降时间:
4 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
8 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
18 ns
典型接通延迟时间:
8.4 ns
零件号别名:
IRFI4020H-117P SP001556636
单位重量:
6 g
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220FP-5
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
200 V
Id-连续漏极电流:
9.1 A
Rds On-漏源导通电阻:
80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
19 nC
最小工作温度:
- 55 C
Pd-功率耗散:
21 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Tube
配置:
Dual
高度:
16.15 mm
长度:
10.65 mm
晶体管类型:
2 N-Channel
宽度:
4.85 mm
商标:
Infineon / IR
下降时间:
4 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
8 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
18 ns
典型接通延迟时间:
8.4 ns
零件号别名:
IRFI4020H-117P SP001556636
单位重量:
6 g





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