技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
75 V
Id-连续漏极电流:
80 A
Rds On-漏源导通电阻:
7.34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
56 nC
Pd-功率耗散:
140 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
4.4 mm
长度:
10 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
9.25 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
800
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRFS3607TRLPBF SP001578296
单位重量:
4 g
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
75 V
Id-连续漏极电流:
80 A
Rds On-漏源导通电阻:
7.34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
56 nC
Pd-功率耗散:
140 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
4.4 mm
长度:
10 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
9.25 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
800
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRFS3607TRLPBF SP001578296
单位重量:
4 g





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